- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/11575 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par la région limite entre la région noyau et la région de circuit périphérique
Détention brevets de la classe H01L 27/11575
Brevets de cette classe: 943
Historique des publications depuis 10 ans
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2
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
247 |
| Kioxia Corporation | 9847 |
148 |
| Sandisk Technologies LLC | 5684 |
134 |
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
126 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 1940 |
79 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
76 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
22 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2562 |
14 |
| Tokyo Electron Limited | 11599 |
13 |
| Intel Corporation | 45621 |
9 |
| Applied Materials, Inc. | 16587 |
9 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 583 |
8 |
| Renesas Electronics Corporation | 6305 |
6 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
6 |
| ASM IP Holding B.V. | 1715 |
5 |
| Longitude Flash Memory Solutions Ltd. | 297 |
5 |
| Intel NDTM US LLC | 373 |
5 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 8770 |
4 |
| Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc | 608 |
4 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1115 |
3 |
| Autres propriétaires | 20 |